由于涉及商业敏感信息，三安光电并未透露与新能源车企的具体名称。但该公司表示，此次向需方提供的碳化硅芯片将主要应用于新能源车主驱系统，有望进一步提升公司产品在市场上的占有率。
湖南三安，作为三安光电的重要子公司，专注于碳化硅、硅基氮化镓等第三代化合物半导体的研发与产业化。该公司投资巨大，项目达产后 预计年产配套产能将达到36万片。截至2022年6月末，湖南三安的月产能已达到6000片。
目前，三安光电的SiC制程主要以6寸为主，同时8寸SiC晶体也在扩径中。该公司计划在未来2-3年内，将湖南三安的8寸产能提升至3万片/月。
碳化硅芯片应用与市场前景
第三代半导体，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表，具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。 SiC功率器件在新能源汽车功率提升中应用广泛，能够显著提升新能源汽车的性能，如续航能力、充电速率以及实现汽车的轻量化等。因此，SiC功率器件在新能源汽车领域的应用占比最高，其次为电源设备、光伏发电和国防军工领域。
根据Yole的测算，SiC器件中的功率器件市场将迎来 显著增长。从2021年的10.90亿美金预计增长至2027年的62.97亿美金，复合年增长率高达约34%。新能源产业链和充电基础设施将成为增长最快的细分领域。
特斯拉在2018年已将其Model 3车型的主驱动逆变器中的Si IGBT替换为SiC MOSFET，从而大幅提升了新能源汽车逆变器的效率，并降低了相同续航下对电池容量的需求。随后，比亚迪、蔚来、理想等车企也纷纷在高端车型中采用SiC MOSFET，充分利用其带来的充电速度、续航里程、起步加速以及器件体积等方面的优势。
目前，全球SiC功率器件的主要市场份额被美国Wolfspeed和日本Rohm两大龙头企业占据，市场份额分别为27%和22%，行业前四企业合计市占率达到73%。然而，由于SiC器件对稳定性的高要求和较长的验证周期，国内厂商的 切入进度相对较慢，面临较大挑战。
尽管面临挑战，但国内厂商仍在积极扩充产能。士兰微最近披露了募集资金计划，其中7.5亿元将用于SiC功率器件生产线建设，旨在提升产能并生产SiC MOSFET和SiC SBD芯片。同时，时代电气、斯达半导、新洁能等也在积极扩充产能。时代电气已投资4.6亿元对原有碳化硅产线进行升级，并表示其碳化硅产品在新能源车验证方面已取得重大进展。
目前，能够实现汽车SiC主驱模块批量出货的国内厂商并不多，除了三安光电外，斯达半导已经实现了这一突破。而宏微科技、士兰微也预计将在2023年实现汽车SiC主驱模块的批量出货。此外，在SiC产业链的更上游环节，即SiC衬底片和外延片领域，国内厂商同样展现出了积极的扩产态势。例如，天岳先进已投资25亿元用于6英寸导电型碳化硅衬底材料的产能扩张，而露笑科技也通过定增募资25.67亿元，专项用于大尺寸碳化硅衬底片等项目的研发与生产。然而，由于国产企业在这一环节起步相对较晚，目前市场仍主要被国外厂商所占据。
