湖南三安的崛起并非孤立事件，而是在政策引导、地方协同与龙头带动下形成的产业集群成果。

• 2024年底，湖南工信厅披露其8吋芯片产线计划年产能达2万片/月；

• 2025上半年，湘江新区围绕湖南三安引入15家链上配套企业，总签约金额高达80亿元，涵盖封装、测试、设备、材料等多个环节；

• 分阶段建设节奏明确，先通线、后扩产，已实现中期目标，产能持续爬坡可期。

湘江新区正成为继厦门、苏州之后，全国第三代半导体制造环节的又一重要战略基地。

除碳化硅外，湖南三安还同步推进**硅基氮化镓（GaN-on-Si）**产线，目前月产能达2,000片。氮化镓具备高频、高压、高效率等特点，是高功率密度需求下的理想材料，在快充、电源模组、5G基站、电机驱动等领域市场需求旺盛。

三安光电通过同时布局SiC与GaN，构建起宽禁带半导体材料全覆盖矩阵，技术路线涵盖高压（SiC）与高频（GaN）场景，战略适配光伏+车规+消费电子等多元终端。

湖南基地的产能释放，将与三安旗下其他子公司形成协同效应：

• 湖北三安：专注Mini/MicroLED技术；

• 苏州斯科：聚焦车规级功率模组封装；

• 厦门总部：技术研发与总部管理中枢；

• 泉州基地：传统光电芯片制造；

通过“全国化+专业化”布局，三安已构建起覆盖LED + 功率半导体两个产业主线的全流程制造闭环，掌握“材料→外延→器件→封装→模组”的核心链条，实现自主可控与降本增效。

三安光电湖南基地8吋芯片产线的通线，不仅是企业的阶段性胜利，更是国产碳化硅突围路径的重要注脚。从产业政策导向到地方政府落地，从技术积累到客户协同，国内宽禁带半导体产业正在构建属于自己的“摩尔曲线”。