近日，第31届半导体年度奖（Semiconductor of the Year 2025）颁奖典礼在日本东京举行。中国领先的碳化硅衬底材料企业天岳先进，从全球众多强劲对手中脱颖而出，荣获日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料类”金奖。
此次天岳先进摘得这一国际殊荣，不仅创造了中国企业在该奖项31年历史上的首次获奖记录，也开创了该奖项首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料领域的先河。
半导体年度奖向来以严格评选标准和高行业认可度著称，过去获得该奖项的包括英伟达、索尼、美光、东芝、住友电工等国际知名企业。天岳先进此次获奖，充分显示其碳化硅衬底材料技术已达到世界领先水平。
天岳先进长期致力于碳化硅衬底材料技术的深入研发，在材料晶体生长技术、晶体缺陷控制、加工工艺等方面取得重大突破，尤其在大尺寸化、高质量晶体制备方面攻克了关键技术难题，为产业化应用提供了坚实支撑。
同时，第50届日内瓦国际发明展上，江苏超芯星半导体有限公司凭借自主研发的先进碳化硅长晶技术（HTCVD）斩获金奖。这一奖项进一步彰显了超芯星在第三代半导体领域的技术领先优势。
超芯星专注于碳化硅材料全产业链的自主研发，团队攻克了低应力晶体生长、低缺陷晶体加工、低损耗晶片制备等多项关键技术难题，成功实现了从设备、粉料到晶体生长、加工及检测的全流程自主掌控。
HTCVD（高温化学气相沉积法）是目前国际公认的先进碳化硅长晶技术之一，具备连续稳定供料、高纯度晶体产出和高效生长速度等优点，极大推动了碳化硅产业的规模化与高质量发展。超芯星作为全球仅有的三家、国内唯一掌握该创新技术的企业，成为国际上为数不多能够批量供应高品质碳化硅衬底片的公司。
