2024年5月21日，在上证路演中心召开的“先进轨道交通行业专场”说明会上，株洲中车董事长李东林对外透露，公司正加快8英寸碳化硅（SiC）产线建设步伐。其中，株洲三期8英寸SiC晶圆项目已于2024年11月启动建设，计划2025年5月实现主体厂房封顶，并于2025年底前实现整线贯通。
目前，株洲中车还拥有一条成熟的6英寸SiC芯片生产线，具备年产2.5万片的产能。在产品技术方面，公司已完成第三代精细平面栅SiC MOSFET的定型开发，第四代沟槽栅产品也达到了行业先进水平，并已着手布局第五代技术。
株洲中车当前重点产品涵盖：
650V-6500V电压等级SiC MOSFET，适配高频、大功率密度场景；
1200V SBD产品已在光伏应用中批量出货；
SiC TO封装器件已在充电桩、OBC、电源管理等领域实现规模供货；
最新产品C-Power 220s平台，面向新能源汽车主驱控制器，已进入整车厂验证阶段，预计2025年有望实现主驱批量出货。
这标志着株洲中车正在构建从衬底、芯片到应用平台的完整SiC产业生态，加快向高压、高能效电力电子市场渗透。
据《The Edge Singapore》5月20日报道，新加坡政府也在积极布局8英寸SiC平台。新加坡科技研究局（A*STAR）旗下微电子研究所（IME）将打造一条面向全球开放的8英寸SiC研发生产线，用于服务电动汽车、电力电子、射频器件与5G通信等终端市场。
该平台被新加坡政府定义为世界首条工业级8英寸SiC开放研发线，不仅提供工艺验证，还将加速试产阶段的技术迭代，服务本地初创企业与中小芯片厂商。其中，新加坡本地公司WaferLead已成为首批受益企业之一。
A*STAR强调：通过集中一体化的研发和试制平台，可显著提高技术转化效率，避免以往跨机构、跨实验室导致的资源分散和流程复杂。
随着电动汽车、储能、新能源电网对高压、高效率功率器件需求激增，全球碳化硅产业正加速向8英寸晶圆转型升级。相比6英寸晶圆，8英寸SiC晶圆可显著提升单位产出率、降低制造成本，并增强封装兼容性。
中国株洲中车与新加坡A*STAR几乎同时推进的8英寸项目，分别体现了制造端量产与研发端平台开放的双轨并进趋势。预计到2026年前，8英寸SiC产线将成为行业主流制程平台，并催生出更多面向车规级、光伏级、工业级的功率器件新品类。
