【专利】天科合达| 高纯半绝缘碳化硅单晶工艺

现有的高纯半绝缘碳化硅晶体制备过程涉及生长前真空腔室内杂质的排除，以及生长过程利用H2、Cl2、CH4、H2S等气氛排氮、硼等杂质。通过常温下利用分子泵进行长时间极限抽真空，背底真空可达10-5 Pa，可有效排除游离态氮气，但是仍有部分杂质残余，如吸附于多孔状保温毡及石墨件上的杂质很难排除。如何找到一种适宜的方式，更好的除去生长腔室内的杂质，从而提高生长的碳化硅的晶体质量？

2025储能：洗牌和新生共存

储能行业进入调整期。

新增2条8英寸SiC产线，有望年底通线

株洲中车：两条8英寸SiC晶圆线年底有望通线，进军主驱市场. 新加坡：建设全球首条开放式8英寸SiC晶圆研发平台.